氮化鎵電阻率方阻測(cè)試儀介紹：

氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙較寬，為3.4eV，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產(chǎn)生紫光（405nm）激光。其次，氮化鎵具有優(yōu)良的電子遷移率和電子飽和漂移速度，這使得它在射頻和微波電子器件中具有出色的性能，例如5G通信系統(tǒng)中的射頻功率放大器。

氮化鎵晶體的晶格結(jié)構(gòu)可以描述為每個(gè)鎵原子周圍環(huán)繞著四個(gè)氮原子，而每個(gè)氮原子周圍也被四個(gè)鎵原子包圍。這種結(jié)構(gòu)稱為閃鋅礦結(jié)構(gòu)或者螺旋狀烯結(jié)構(gòu)，它是由鎵原子和氮原子所構(gòu)成的共價(jià)鍵和離子鍵交替排列而成。

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